Photoresistors များသည် အတွင်းပိုင်း photoelectric effect ကို အခြေခံ၍ အလုပ်လုပ်ပါသည်။လျှပ်ကူးပစ္စည်း ခဲများကို semiconductor photosensitive material ၏ အစွန်းနှစ်ဖက်တွင် တပ်ဆင်ထားပြီး ၎င်းကို ဖောက်ထွင်းမြင်ရသော ပြတင်းပေါက်တစ်ခုဖြင့် ဘူးခွံတစ်ခုတွင် ထုပ်ပိုးခြင်းဖြင့် photosensitive resistance ကို ဖွဲ့စည်းထားသည်။ အာရုံခံနိုင်စွမ်းကို တိုးမြှင့်ရန်အတွက် လျှပ်ကူးပစ္စည်းနှစ်ခုကို မကြာခဏ ခေါင်းဖြီးပုံသဏ္ဍာန်အဖြစ် ပြုလုပ်ထားသည်။Photoresistors ပြုလုပ်ရန်အသုံးပြုသည့်ပစ္စည်းများမှာ အဓိကအားဖြင့် metal sulfides၊ selenides၊ tellurides နှင့် အခြားသော semiconductors များဖြစ်သည်။အများအားဖြင့်၊ အပေါ်ယံပိုင်း၊ ပက်ဖြန်းခြင်း၊ sintering နှင့် အခြားနည်းလမ်းများကို အသုံးပြုပြီး အလွန်ပါးလွှာသော photosensitive resistance body နှင့် insulating substrate ပေါ်တွင် ohm electrode ကို ဖြီးပေးကာ ခဲကို ချိတ်ဆက်ကာ အလုံပိတ်ခွံတစ်ခုတွင် ဖောက်ထွင်းမြင်ရသော မှန်ဖြင့် ထုပ်ပိုးထားသည်။ အစိုဓာတ်အားဖြင့်၎င်း၏ sensitivity ကိုထိခိုက်စေသည်။အဖြစ်အပျက်အလင်း ပျောက်ကွယ်သွားသောအခါ၊ ဖိုတွန်လှုံ့ဆော်မှုမှ ထုတ်ပေးသော အီလက်ထရွန်အပေါက်အတွဲသည် ပြန်လည်ပေါင်းစည်းမည်ဖြစ်ပြီး၊ photoresistor ၏ ခံနိုင်ရည်တန်ဖိုးသည် မူလတန်ဖိုးသို့ ပြန်သွားမည်ဖြစ်သည်။အလင်းဓာတ်ရောင်ခြည်ဖြာထွက်မှု၏ လှိုင်းအလျားတစ်ခုဖြင့် ဓါတ်ပြုခံနိုင်ရည်ရှိသော ဗို့အားနှင့်အတူ ဓါတ်ပြုခံနိုင်ရည်ရှိသော စွန်းနှစ်ဖက်ရှိ သတ္တုလျှပ်ကူးပစ္စည်းသည် photoelectric အဖြစ်ပြောင်းလဲခြင်းကို အောင်မြင်စေရန်အတွက် အလင်းပြင်းအားတိုးလာသည်နှင့်အမျှ လျှပ်စီးကြောင်းသည် တိုးလာမည်ဖြစ်သည်။ဓာတ်ပုံထိခိုက်လွယ်သော resistor သည် polarity မရှိပါ၊ ခုခံနိုင်သောကိရိယာတစ်ခုမျှသာဖြစ်သည်၊ dc ဗို့အားထည့်ရန်၊ AC ဗို့အားကိုလည်းထည့်နိုင်သည်။semiconductor ၏ conductivity သည် ၎င်း၏ conduction band တွင် carrier အရေအတွက်ပေါ်မူတည်ပါသည်။
